Recess-free Enhancement-Mode AlGaN/GaN RF HEMTs on Si Substrate
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS（2024）
关键词
AlGaN/GaN heterostructure,ultrathin-barrier,enhancement-mode,radio-frequency,power added efficiency,silicon substrate
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要