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双沟槽SiC MOSFET总剂量效应

ZHU Wenlu,GUO Hongxia, LI Yangfan,MA Wuying, ZHANG Fengqi, BAI Ruxue,ZHONG Xiangli,LI Jifang, CAO Yanhui,JU Anan

Acta Physica Sinica（2025）

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关键词
double-trench,silicon carbide,low-frequency noise,total ionizing dose effect
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