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Charge Trapping Challenges of CMOS Embedded Complementary FeFETs

Sven Beyer,Dominik Kleimaier,Stefan Duenkel,Halid Mulaosmanovic,Steven Soss,Johannes Mueller,Zhouhang Jiang,Kai Ni,Haidi Zhou,Thomas Mikolajick

2024 IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP, IMW（2024）

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关键词

FeFET,28nm HKMG,endurance,trapping

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