谷歌浏览器插件

订阅小程序

在清言上使用

立即登录

学术主页个人账号

我的关注论文收藏浏览历史

Influence of GaN Substrate Miscut on the XRD Quantification of Plastic Relaxation in InGaN

J. Moneta,M. Krysko,J. Z. Domagala,E. Grzanka,G. Muziol,M. Siekacz,M. Leszczynski,J. Smalc-Koziorowska

ACTA MATERIALIA（2024）

引用 2|浏览15

关键词

Nitrides,InGaN templates,Relaxation mechanism,Dislocations, XRD

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要