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Vertical N-Type and P-Type Nanosheet FETs with C-Shaped Channel

Z. R. Xiao,H. L. Zhu, Q. Wang, Z. Chen,Z. Y. Liu,Y. K. Zhang,Z. J. Yan,Y. F. Shi,N. Zhou,J. J. Li,J. F. Gao, X. Z. Ai, S. S. Lu,W. X. Huang,W. J. Xiong, Z. Z. Kong,J. J. Xiang,Y. Zhang,J. Zhao, J. B. Liu,Y. H. Lu,G. B. Bai,X. B. He,A. Y. Du,H. Yang,T. Yang,Z. H. Wu,J. F. Li,J. Luo,W. W. Wang,T. C. Ye

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（2023）

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关键词
CMOS,dynamic random access memory (DRAM),nanosheet (NS),vertical C-shaped-channel nanosheet field-effect transistor (VCNFET)
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