Фотореверсивный Ток В Светодиодных Гетероструктурах На Основе InGaN/GaN C Разным Количеством Квантовых ЯмА.Э. Асланян,Л.П. Авакянц,А.В. Червяков,А.Н. Туркин,В.А. Курешов,Д.Р. Сабитов,А.А. МармалюкФизика и техника полупроводников(2020)引用 1|浏览4AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要