谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用
VIPCreated with Sketch.

Performance benchmarking of p-type In<inf>0.65</inf>Ga<inf>0.35</inf>As/GaAs<inf>0.4</inf>Sb<inf>0.6</inf> and Ge/Ge<inf>0.93</inf>Sn<inf>0.07</inf> hetero-junction tunnel FETs

R. Pandey,C. Schulte-Braucks,R. N. Sajjad,M. Barth,R. K. Ghosh,B. Grisafe,P. Sharma,N. von den Driesch,A. Vohra,B. Rayner,R. Loo,S. Mantl,D. Buca,C-C. Yeh,C-H. Wu,W. Tsai,D. Antoniadis,S. Datta

2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)（2016）

引用 6|浏览2
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要