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Effect of Si-doped InGaN Underlayers on Photoluminescence Efficiency and Recombination Dynamics in InGaN/GaN Quantum Wells

S. A. Church,G. M. Christian,R. M. Barrett,S. Hammersley,M. J. Kappers,M. Frentrup,R. A. Oliver,D. J. Binks

Journal of Physics D Applied Physics（2021）

引用 2|浏览5

关键词

Si,doped,InGaN,underlayers,photoluminescences,quantum well

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