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High Performance In0.53ga0.47as Finfets Fabricated on 300 Mm Si Substrate

M. L. Huang,S. W. Chang,M. K. Chen, Y. Oniki,H. C. Chen,C. H. Lin,W. C. Lee,M. A. Khaderbad,K. Y. Lee, Z. C. Chen,P. Y. Tsai,L. T. Lin,M. H. Tsai, C. L. Hung,T. C. Huang,Y. C. Lin,Y. -C. Yeo,S. M. Jang,H. Y. Hwang,Howard C. -H. Wang,Carlos H. Diaz

2016 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY（2016）

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关键词
lattice-matched InP substrate,extrinsic field effect mobility,Si substrate,high performance FinFET,size 300 mm,voltage 0.5 V,In0.53Ga0.47As,Si,InP
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