罗庆博士长期致力于新型存储器的高密度集成的研究，在阻变存储器的三维集成领域取得了突破性进展，首次实现了8层垂直结构的三维阻变存储阵列；针对三维集成阵列中的关键性问题——交叉串扰问题，提出了高性能选通管以及自选通阻变存储器；针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题，提出了基于Hf0.5Zr0.5O2的铁电混合存储器件。 基于上述成果，罗庆博士在微电子领域最重要的国际会议IEDM/VLSI上发表论文10篇（第一作者6篇），在微电子领域最重要期刊IEEE EDL/TED上发表论文8篇（第一作者4篇）。发表的论文被Nat. Mater.、Nat. Electron.、 Nat. Commun.等期刊重点评述和引用，被Samsung、IMEC、惠普实验室等研究机构的跟踪和引用；自选通器件作为典型工作入选国际半导体技术路线图（IRDS2017）。与全球存储产业巨头之一美国西部数据公司就RRAM三维集成研究开展合作，与联想集团合作开展独立式三维阻变存储器的研发。