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An Al-Drain Silicon Transistor with Ultra-steep Subthreshold Slope and Low Operating Voltage
Zhibo Chen, Weiao Chen, Baowei Yuan, Yingxin Chen, Chengjie Tang,Weizhuo Gan,Chunsong Zhao,Zhaozhao Hou, Qiang Zhang, Jiachen Gao, Jiale Wang,Jeffrey Xu,Shisheng Xiong,Jing Wan, Ye Lu
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2025): 1-1
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Scaling MoS2 Transistors to 1 Nm Node
Weisheng Li, Mingyi Du,Chunsong Zhao, Guangkai Xiong,Weizhuo Gan,Lei Liu,Taotao Li,Yuan Gao,Fuchen Hou,Junhao Lin,Dongxu Fan,Hao Qiu,Zhihao Yu,Jeffrey Xu,Yi Shi,Xinran Wang
2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2024)
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Electronics and Optoelectronics Based on Tellurium
Jiajia Zha, Dechen Dong,Haoxin Huang,Yunpeng Xia, Jingyi Tong, Handa Liu,Hau Ping Chan,Johnny C Ho,Chunsong Zhao,Yang Chai,Chaoliang Tan
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla)no. 45 (2024): e2408969-e2408969
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